投资者提问:
冯董秘,您好! 去年公司披露,公司碳化硅/SIC项目重点在于利用之前积累的长晶和切磨抛经验,聚焦长晶工艺研发以及加工工艺验证,公司希望探索出一条更有技术优势的长晶和加工工艺路线。 请教,请比较公司目前开发的碳化硅长晶线路与市场上常用的物理气相输运(PVT)法生长碳化硅的区别,谢谢!
董秘回答(天通股份SH600330):
1、您好!对于SIC的晶体生长,在立项时就已考虑到难度,目前持续推进中。2、公司目前采取的生长方式是PVT,同时也在调研其他的方式。谢谢!
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