投资者提问：
公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的是以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，也就是宽禁带半导体，请问此碳化硅、氮化镓研发项目是包括材料、芯片、器件等全产业链吗？碳化硅、氮化镓在5G领域将有着广泛的应用，比如射频芯片及射频器件，公司是否也会将碳化硅、氮化镓应用于5G相关产业链中？谢谢。
董秘回答(捷捷微电SZ300623)：
尊敬的投资者，您好！感谢您的关注。公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的是以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置，是当前新型电力电子器件的研发主流，其相关技术与产品在工业传动、军工、铁路、智能电网柔性输变电、消费电子、无线电力传输等领域，以及智能汽车及充电桩、太阳能发电、风力发电等新能源领域具有广阔的市场，宽禁带电力电子器件产品将是未来电力电子技术的重要价值增长点。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段，具体进展情况请关注公司公告。谢谢！
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