投资者提问:公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的SiC、GaN...

投资者提问:公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的SiC、GaN...
2019年10月12日 15:59 问董秘

投资者提问:

公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件,今后在推进产业化过程中也会采用从设计、制造、封装测试到销售自有品牌IC的半导体垂直整合型IDM模式吗?

董秘回答(捷捷微电SZ300623):

尊敬的投资者,您好!功率半导体器件IDM模式是一种极具竞争力的模式,便于企业的成本和产品良率的控制,从而使产品具有高性价比。公司非公开项目“电力电子器件生产线”对应的VDMOS等产品需要8英寸芯片产线支撑,鉴于目前8英寸芯片产线投资规模和产能与产能利用率周期等因素影响,该项目完全IDM模式需要较长的过程,包括相关优秀技术人才的引进和培养等。目前在项目建设(产品设计、部分6寸芯片产线和器件封测)的同时,包括未来几年该项目的芯片主要以流片(8英寸)为主。谢谢!

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