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原标题：中芯国际：有能力生产0.35微米到14纳米各技术节点的光掩模产品 来源：和讯网
近期有投资者向中芯国际提问：董秘你好，招股书提到中芯国际拥有目前中国大陆最大、最先进的光掩膜制造设施，可生产0.35微米―14纳米各技术节点的光掩膜产品，请问贵公司光掩膜版是不是完全无需外购，自己就可以解决？
中芯国际回答表示，中芯国际光罩厂有能力生产0.35微米―14纳米各技术节点的光掩模产品。
什么是光掩膜？
光掩膜一般也称光罩、掩膜版，在半导体制造的整个流程中，其中一部分是从版图到晶圆制造的一个过程，这一部分是流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。
光掩膜主要由两部分组成：基板和不透光材料。
光掩膜技术是光刻产业中一个重要环节，光掩膜作为集成电路的原始模板，通过光刻技术将掩膜版上的电路图案复制到晶圆上，从而批量化生产芯片等产品。
随着晶体管越来越小，光掩膜制造也越来越复杂，先进制程光掩膜基板的需求也在不断提升。
像台积电、中芯国际等半导体制造厂所用的光掩膜大部分由自己的专业工厂生产。
不过独立光掩膜市场集中度很高，photronics、大日本印刷DNP和日本凸版印刷Toppan 三家占据80%以上的市场份额。
中芯国际正在加速崛起
台积电决定出资187亿元，用于建设月产能4万片芯片的南京代工厂，实现28nm芯片制程的产能扩产，预计2022年完成投产，2023年达到生产目标。
除了建设南京代工厂外，台积电还计划在美国投资建设5家芯片代工厂。
业界人士表示，台积电建设南京代工厂此举可能是想进一步阻碍中芯国际的发展，从而稳固自身在市场上的地位。
中芯国际在先进工艺上的进展始终牵动市场目光，根据中芯国际官网介绍，公司目前的最先进工艺是14nm，接下来的是N+1、N+2工艺，但未指明具体的工艺节点。
11日有传闻称，中芯国际目前可以脱离EUV光刻机解决类7mm工艺，不过中芯国际还未给予回应。
4月底，ASML正式发布一季度财报，11台光刻机已交付国内厂商（不含台积电）。
中芯国际今年有两个大动作：
一是7nm芯片试产、量产
梁孟松在2020年底对外表示，中芯国际已完成28nm―7nm芯片研发任务，预计很快进行7nm芯片风险试产；
二是N+2工艺芯片试产、量产
中芯国际已对外明确表示，将在年底风险试产N+2工艺芯片。
数据显示，中芯国际芯片制程产能利用率已达100%，且部分成熟工艺订单排到了明年，更为关键的是，中芯国际正在深圳建设一家芯片代工厂，投资额23.5亿美元。
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