台积电2nm大突破

原标题：台积电2nm大突破 来源：拓璞产业研究院

台积电冲刺先进制程，在2纳米研发有重大突破，已成功找到路径，将切入GAA（环绕闸极）技术，为台积电发展鳍式场效电晶体（FinFET）取得全球绝对领先地位之后，迈向另一全新的技术节点。尽管劲敌三星已早一步切入GAA，台积电仍有信心以2纳米切入GAA技术，在全球晶圆代工市场持续维持绝对领先地位。

这是台积电继去年9月正式对外宣告投入2纳米技术研发之后，在2纳米技术的重大进展，凸显台积电强大的研发实力，预料台积电最快会在下月举行的技术论坛，宣告这项重大的技术成果。台积电并未对此评论。

台积电3纳米预定明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产，业界以此推断，台积电2纳米推出时间将落在2023年到2024年间。

台积电在今年4月法说会时，宣布3纳米仍会沿用FinFET技术，主要考量是客户在导入5纳米制程后，采用同样的设计即可导入3纳米制程，可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品。

不过，面对三星已决定在3纳米率先导入GAA技术，并宣称要到2030年超车台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位，台积电研发大军一刻也不敢松懈，积极投入2纳米研发，并获得技术重大突破，成功找到切入GAA路径，台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁，还为此举办庆功宴，感谢研发工程师全心投入，为台积电在先进技术布局，做了重大的贡献。

罗唯仁目前是台积电最资深的副总经理，原本计划在三年前退休，被董事会慰留，持续领导台积电研发向前冲刺。

虽然台积电对此刻意保持低调，也未宣布2纳米将采用何种制程技术。不过，台积电供应键透露，由于FinFET在3纳米以下即会碰到瓶颈，因此台积电选择切入GAA技制，脚步虽比三星晚，但台积电有信心会领先竞争对手，持续站称全球晶圆代工龙头地位。

台积电目前集重兵在5纳米制程与三星决战，从客户端导入5纳米制程塞爆台积电产能，再次验证台积电先进制程再度成功完封三星，独揽苹果新世代A14处理器代工大单，未来3纳米即使沿用FinFET技术，仍以优越的成本优势，独家为苹果代工生产A15处理器。

文稿来源：台湾经济日报

图片来源：拍信网

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