中科院宣布光刻机取得重大突破 能否解决中芯国际和华为的需求?

中科院宣布光刻机取得重大突破 能否解决中芯国际和华为的需求?
2021年06月12日 01:31 运营商财经网

原标题:中科院宣布光刻机取得重大突破 能否解决中芯国际和华为的需求?

运营商财经 八卦叨/文

2021年6月11日,中科院在其官网宣布,中科院上海光学精密机械研究所的信息光学与光电技术实验室提出一种新的快速光学邻近效应修正技术,即“基于虚拟边与双采样率像素化掩摸图形”。这意味着我国光刻机取得重大突破。但是,这到底有多大突破呢?能否解决中芯国际的高端光刻机短缺问题呢?能否让华为解决芯片代工问题呢?

首先,准确地说,中科院的光机所是研发出一种被称之为OPC的技术,可以有效地提高光刻机的分辨率,增大工艺窗口。看到这个消息,一开始,大家是狂喜。

其次,中科院称,通过仿真试验,证明了这一理念的可行性。目前该研究成果已经发表在Optics Express上。 不过,一听到这句话,大家就开始脑子嗡嗡响,原来还处于证明该光刻机技术的理论可行阶段呀?而且,这还需要发表论文?

另外, 网上的资料称,中科院光机所提出的光学修正技术能够提高光刻机对硅膜片的成像质量,提高芯片的性能和良品率,一定程度上可以降低芯片制程难度。

光学邻近效应是一门技术,是抽象的,不是具体的,归属于计算机光刻。中科院将各种复杂情况、不同类型的成像失真归结为内缩异常与外扩异常。利用不同的成像异常检测模板,能够大幅节省分析故障时所耗费的时间 。

据称,从技术角度来说,中科院光机所的光学修正技术非常领先,对造芯片的良品率非常有帮助,与ASML公司的EUV光刻机在原理上完全不是一回事。

主要的问题是不清楚啥时可以商用。目前全球最领先的荷兰ASML公司的光刻机制造工艺已经达到了5纳米,而我们国产的光刻机分辨率目前是90纳米,预计今年将会量产28纳米DUV光刻机。中国与ASML公司的光刻机技术差距还太大,若不追上,目前中国芯片产业链这种被卡脖子的局面还不知道何时能结束。

所以,中科院的光学修正技术啥时能造出光刻机来,是大家期盼的。张召忠曾在去年的时候曾发文表示,三五年内,在中国市场,美芯没人要,“中国芯”满大街都是,而且都是白菜价。此话一出,当时网上笑声一片。

(责任编辑:韩丽)

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