台积电、三星、中芯国际、英特尔谁能抢占晶圆代工市场先机

台积电、三星、中芯国际、英特尔谁能抢占晶圆代工市场先机
2019年10月16日 12:57 与非网

原标题:台积电、三星、中芯国际、英特尔谁能抢占晶圆代工市场先机 来源:与非网

晶圆代工业务日渐吃香,据市场分析机构预测 2019 年至 2024 年全球晶圆代工产值年复合成长率(CAGR)可望达 5.3%。

2019 年下半终端市场需求疲弱等不利因素持续影响,市调研究机构 DIGITIMES Research 分析师陈泽嘉预估 2019 年全球晶圆代工产值将衰退 3%,但随总体经济缓步回温,及 5G、人工智能(AI)、 高效能运算(HPC)等应用需求增加,加上晶圆代工业者持续推动先进制程,并积极布局 3D IC 封装技术,以延续摩尔定律发展,预估 2020 年全球晶圆代工产值将重回成长轨道。

就经济动能与市场需求面而言,国际货币基金(IMF)预估全球经济成长动能将在 2020 年后逐渐回温。

纵使欧美市场中长期经济成长将逐渐趋缓,同时,中国大陆经济结构性调整压力也恐再延续数年,但受惠新兴市场发展逐渐成熟、5G 等新兴科技应用带动半导体需求,仍可为全球晶圆代工产业带来成长契机。

从晶圆代工业者竞争态势来看,台积电在稳步推进制程技术并布局高阶封装技术下,仍将稳居全球龙头。

不过,三星电子(Samsung Electronics)宣布砸下重金发展晶圆代工事业,对台积电而言仍有一定的威胁。

另外,中芯 14nm 预计在 2019 年下半量产,对下一代制程亦积极投入布局,加以大陆政策支持半导体产业发展,估计也有助其提升市占率。

产业技术动向方面,FinFET 晶体管结构在 5nm 以下逐渐逼近极限,因此三星已宣布 3nm 将改采闸极全环场效晶体管(Gate-All-Around FET,GAAFET)技术;台积电虽在 3nm 节点可能继续采用 FinFET, 但尚未定案。

此外,台积电、英特尔、三星等业者积极布局 3D 封装技术,加强芯片异质整合(Heterogeneous Integration),则视为延续摩尔定律并强化各自在晶圆代工竞争力的重要策略。

(原标题:台积电、三星、中芯国际、英特尔谁能抢占晶圆代工市场先机)

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