碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】-230914

碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】-230914
2023年10月20日 17:08 同花顺

1、关键假设、驱动因素及主要预测

关键假设:

  1)新能源汽车渗透率持续提升,SiC迎来上车导入期;2)国产材料商、设备商市场份额逐步提升。

驱动因素:

  1)新能源汽车渗透率持续提升,我们预计未来三年全球装机量CAGR约30%。

  2)衬底环节:国产SiC衬底片厂商良率持续提升、降低衬底成本,提升SiC应用渗透率;长切磨抛设备商打破国外垄断,加速国产化。

  3)外延环节:国外外延设备产能不足、交期缓慢,利好国产替代。

主要预测:

  1)我们预计到2025年全球/国内6寸碳化硅衬底片新增市场空间约380/156亿元,2023-2025年CAGR为78%/90%。

  2)我们预计到2025年全球/国内6寸碳化硅单晶炉新增市场空间约100/40亿元,2023-2025年CAGR为63%/75%。

  3)我们预计到2025年全球/国内6寸碳化硅切片设备新增市场空间约30/13亿元,2023-2025年CAGR约48%/58%。

  4)我们预计到2025年全球/国内6寸碳化硅磨抛设备的市场空间约56/23亿元,2023-2025年CAGR约81%/94%。

  5)我们预计到2025年全球/国内6寸碳化硅外延炉新增市场空间约130/53亿元,2023-2025年CAGR约75%/88%。

  6)我们预计到2025年全球/国内6寸碳化硅激光切割设备新增市场空间约5/2亿元,2023-2025年CAGR约60%/71%。

2、我们与市场不同的观点

  1)从行业趋势看,SiC上车是大势所趋。全球已有多家车企的多款车型使用SiC,2018年特斯拉率先在Model 3上搭载SiC,从此拉开了碳化硅大规模上车序幕,蔚来、比亚迪、吉利、现代汽车等车企纷纷跟进。

  2)衬底材料端良率提升是关键,设备端生长、切片、研磨抛光各环节国产化率逐步提升。目前衬底的材料端与国外龙头差距主要在于良率,设备端国内长晶已基本实现国产化,切片&研磨抛光国产化率有待进一步提升。

  3)外延设备由国外设备商主导,未来2-3年有望快速实现国产替代。意大利LPE、德国爱思强、日本的Nuflare占比达80%+,设备核心壁垒在于气体流量的控制,国内晶盛机电北方华创等均在积极推进国产替代。

  3、股价催化剂:SiC衬底&外延持续扩产,国产设备商订单落地,设备国产化率提升。

  4、风险提示:新能源车销量不及预期的风险、碳化硅渗透率提升不及预期的风险、SiC设备国产化率提升不及预期、各家厂商技术研发不及预期。

投资要点

  SiC行业概况:第三代半导体材料性能优越,新能源车等场景带动SiC放量。碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC功率器件市场规模有望达50亿美元,占比高达79%,全球已有多家车企的多款车型使用SiC,例如特斯拉、蔚来、比亚迪等,SiC迎来上车导入期。SiC产业链70%价值量集中在衬底和外延环节,其中衬底、外延成本分别占整个器件的47%、23%,后道的器件设计、制造、封测环节仅占30%。

  SiC衬底:材料端良率提升是关键,设备端生长、切片、研磨抛光各环节国产化率逐步提升。(1)衬底:随着下游持续扩产,我们预计全球/国内6寸碳化硅衬底片新增市场空间约380/156亿元,海外龙头起步较早,根据Yole,2020年海外厂商Wolfspeed等CR3达78%,国内龙头天科合达、天岳先进分别仅为3%,国内SiC衬底良率较低约50%,而海外龙头良率已达85%左右。(2)长晶:物理气相传输(PVT)最成熟,难点在于温度控制、杂质控制、生长速度缓慢等,随着国内SiC衬底加速扩产,我们预计2025年全球/国内6寸碳化硅单晶炉新增市场空间约100/40亿元,国内厂商已经较好的实现了碳化硅单晶炉的国产化,其中北方华创市占率超50%,晶升股份市占率约28%,晶盛机电设备自产自用。(3)切片:金刚线切割效率高、污染少,正逐渐代替砂浆切割,激光切片损耗少、效率高,有望替代金刚线成为新一代主流切割技术,我们预计到2025年全球/国内6寸碳化硅切片设备新增市场空间约30/13亿元,金刚线切割方面高测股份已推出分别兼容4-8英寸的SiC金刚线切片机并持续推进国产替代,激光切割方面大族激光德龙激光市场份额各占约50%。(4)研磨抛光:我们预计2025年全球/国内6寸碳化硅磨抛设备的市场空间约56/23亿元,DISCO为龙头,国内迈为股份对标DISCO,推动设备国产化。

  SiC外延:国外设备商主导,未来2-3年有望快速实现国产替代。SiC外延需严格控制缺陷,工艺难度大,我们预计2025年全球/国内6寸碳化硅外延炉新增市场空间约130/53亿元,目前以意大利LPE(水平气流)、德国爱思强(垂直气流)、日本的Nuflare(垂直气流)为主,其MOCVD设备的核心差异是对气体流量的控制,国内晶盛机电、北方华创、芯三代、中电48所和深圳纳设智能等均在积极推进国产替代。此外在外延完成后,SiC仍需要激光划片进行晶圆的切割,我们预计2025年全球/国内6寸碳化硅激光切割设备新增市场空间约5/2亿元,国内德龙激光、大族激光市占率各50%。

  投资建议:重点推荐晶盛机电(SiC衬底片&外延炉)、迈为股份(SiC研磨机)、高测股份(SiC金刚线切片机)、德龙激光(SiC激光切片&划片机)、北方华创(SiC长晶炉&外延炉),建议关注晶升股份( SiC长晶炉)、大族激光(SiC激光切片&划片机)、纳设智能(未上市,SiC外延炉)等。

  风险提示:新能源车销量不及预期的风险、碳化硅渗透率提升不及预期的风险、SiC设备国产化率提升不及预期、各家厂商技术研发不及预期。

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