赛微电子拟投资10亿发展硅基氮化镓功率器件|微电子_新浪财经

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原标题：赛微电子拟投资10亿发展硅基氮化镓功率器件来源：中关村在线

中关村在线消息：近日北京赛微电子股份有限公司发布了关于与青州市人民政府签署《合作协议》的公告，公告显示赛微电子拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目。

据悉该项目一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5000片/月的生产能力，二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12000片/月的生产能力，将为全球GaN产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障。

据了解，GaN（氮化镓）属于第三代半导体材料，第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

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