华微电子取得沟槽肖特基器件专利，极大程度地缓解漏电现象|华微电子_新浪财经

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金融界2024年6月20日消息，天眼查知识产权信息显示，吉林华微电子股份有限公司取得一项名为“沟槽肖特基器件“，授权公告号CN109473470B，申请日期为2018年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽肖特基器件，涉及半导体器件的技术领域，包括单晶层和设置在单晶层上的金属硅化物层、沟槽肖特基器件形成贯穿金属硅化物层以及贯穿部分单晶层的沟槽，沟槽包括宽径区、窄径区和变径区，变径区为由窄径区过渡到宽径区的区域，宽径区和部分变径区位于单晶层内，解决势垒金属溅射困难的问题，进而极大程度地缓解漏电现象。