中芯国际扩建finfet工艺要冲击7纳米技术？|中芯国际_新浪财经

原标题：中芯国际扩建finfet工艺要冲击7纳米技术？

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　　近日，中芯国际发布消息称，其扩建finfet该技术已经成功量产，第二代技术也正在风险量产之中。这就引发了人们的好奇，啥是finfet第二代技术？中芯国际要攻克7纳米技术？

　　首先，中芯国际显然在暗示工艺又有大进展，之前的2020年1月份，中芯国际宣布已完成全球首个基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试，所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过。中芯国际联合CEO梁孟松今年初曾透露，该工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机，但在性能方面提升还不够，所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。其曾表示，中芯国际N+1工艺和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市场基准性能提升应该是35%。

　　也就是说，中芯国际N+1工艺比14nm强，但还达不到7nm。

　　其次，第二代 FinFET就是N+2工艺，对标的是台积电的7纳米技术.。2020年9月份，投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产消息，中芯国际回答表示：中芯国际第二代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段，可望于 2020 年底进行小批量试产。

　　眼下看来，中芯国际似乎真的在将N+2工艺进行“风险量产”，请注意中芯国际的措辞，“风险量产”估计就是量产的最初阶段，先看下良品率。

　　而一旦量产成功，那意味着中芯国际将成为全球第三个掌握7纳米工艺的芯片代工企业，中国芯片生产工艺取得历史性突破。