02月22日，博创科技（300548）股价大幅上涨，截至09点30分，博创科技上涨5.23%，报24.97元/股，成交2767万元，换手率0.51%，振幅1.73%。
消息解读
在新一轮的芯片制造业洗牌中，日本似乎又看到了崛起的希望。越来越多的芯片公司开始计划在日本扩张，尤其是来自中国台湾地区的厂商。过去两年中至少有9家台湾芯片公司在日本设立了工厂或计划扩大业务。日元疲软是促成这一转移的一大原因。AIchip Japan总经理Hiroyuki Furuzono表示，预计日本半导体市场将进入增长期，该公司正在利用日本的发展机会，并已经参与了几个前景不错的项目。台积电将为其位于日本九州岛的第一家工厂举行开业仪式。台积电宣布计划在日本建设第二家晶圆厂，却对在美国的进一步扩张避而不谈。台积电曾公开表示日本勤奋的工作文化，加上政府的慷慨程度使得台积电更容易在日本生存并茁壮成长。White Oak Capital投资总监Nori Chiou指出，半导体强国的核心力量不仅在于领先企业，还在于强大的生态系统。日本政府积极主动的支持、大量补贴以及减少干预的举动，使其从全球国家中脱颖而出。
2023年第四季度，全球DRAM（内存）和NAND闪存的价格约上涨 3%~8%，其中服务器DRAM市场对增长起到更大作用。2024年，随着运算速度的提升，DRAM和NAND闪存在各类AI应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量都会增长，其中，服务器应用的增长幅度最高。AI服务器出货量近120万台，年增38.4%，占整体服务器出货量的9%，按照这个势头发展下去，2026年将占到15%的市场份额。英伟达发布了DGX GH200，进一步推升了AI服务器对内存性能的需求，GH200共链接了256个Grace Hopper超级芯片，具有144TB的共享内存，GH200单卡配备了480GB LPDDR5内存和96GB的HBM显存，而在上一代DGX H100服务器中，平均单个H100芯片对应256GB内存和80GB的HBM。SK海力士公布了HBM发展路线图，计划在2024上半年量产HBM3e，并向客户交付8层堆叠样品。三星也有发展HBM4的时间表，计划于2025年提供样品，并于2026年量产。三星电子执行副总裁兼美国内存业务主管 Lee Jung-bae在一篇博客文章中表示，该公司将扩大32GB DDR5及1TB模块产能。SK海力士也表示，计划加大对高带宽内存和DDR5芯片的投资，以适应人工智能市场的增长需求。
此外，数据统计显示，近半年内1家券商给予买入建议。
资金动向
截止发稿，博创科技获得主力净流出24万元，其中超大单流入565万元，大单流出588万元。数据显示，该股今日净流入较近5日净流入均值减少768万元。
北向资金方面，博创科技02月21日获得北向资金增持18.50万股，截至02月21日，北向资金当前共持有博创科技175.69万股，市值4386万元，持股占流通股比为0.61%。
主营业务及业绩
博创科技公司主营业务为光通信领域集成光电子器件的研发、生产和销售。
最新财报显示，今年三季报，博创科技实现营业收入8.14亿元，同比减少19.43%，净利润为1.22亿元，同比减少1.58%，基本每股收益为0.46元。
（以上内容为腾讯自选股基于公开消息，由程序或算法智能生成，仅作为用户看盘参考，不作为投资建议或交易依据。股市有风险，请谨慎决策。）
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