美迪凯:晶圆背部减薄及切割工艺实现12英寸晶圆TTV<2.5μm、切割后崩边<10μm

美迪凯:晶圆背部减薄及切割工艺实现12英寸晶圆TTV<2.5μm、切割后崩边<10μm
2023年03月27日 16:05 界面新闻

美迪凯3月27日在互动平台表示,公司晶圆背部减薄及切割工艺,实现12英寸晶圆TTV<2.5μm、切割后崩边<10μm及芯片表面的高标准外观要求。

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