德邦证券发布研报称，5月21日，SK海力士高层Kwon Jae-soon表示，SK海力士的HBM3E良率接近80%，他强调SK海力士今年重点是生产8层堆叠HBM3E。此前，SK海力士CEO郭鲁正于5月2日宣布，公司HBM今年已经全部售罄，明年也基本售罄，并且预计在今年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品，并准备在第三季度开始量产。同时，美光CEO SanjayMehrotra也表示HBM产能今年已经全部售罄，并且预计其HBM产品在第三财季可为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。
HBM具有高带宽+高容量+低延时+低功耗的特点，先进封装将核心受益
HBM是将多个DDR芯片堆叠在一起后，再和GPU封装合成，通过增加带宽，扩展内存容量，组成DDR组合阵列，以此实现让更大的模型、更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案所带来的延迟。与传统DRAM芯片相比，HBM具有高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度。同时，HBM多层堆叠技术有望促进相关设备和材料的需求。据量子位微信公众号，英伟达H200首搭141GB的HBM3E内存和4.8TB/s的带宽，相比H100，其内存容量和带宽有了明显的增加(H100内存容量为80GB和3.35TB/s带宽)。
需求侧：HBM供不应求，TrendForce预计24年市场规模翻倍、达近百亿美元
SK海力士：24Q1业绩大超预期，实现净利润1.92万亿韩元，远超市场预期9166.9亿韩元。早在今年2月，SK海力士管理层就表示，今年HBM生产配额已经全部售罄。
美光：24财年第二财季实现营收58.2亿美元，高于公司此前指引区间51-55亿美元，实现非GAAP口径下调整后营业利润2.04亿美元。第二财季是公司向英伟达H200供应的HBM3E首个创收季度。该产品今年已卖断货，排到明年的订单已占用大部分明年可供货源。
三星：与AMD签署4万亿韩元的HBM3E供货协议。今年2月，正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GB HBM3E12H芯片。英伟达表示正在对三星的芯片进行资格认证，以用于AI服务器产品。
供给侧：头部存储厂商正进行军备竞赛，加大扩产
SK海力士：公司预计2030年HBM出货量达每年一亿颗，预计今年的总资本支出将超过2024年最初计划。近期海力士表示计划斥资146亿美元在韩国构建新的存储芯片产能，扩大包括HBM在内的下一代DRAM的产能，以应对快速增长的AI需求。同时4月初宣布将斥资38.7亿美元在印第安纳州西拉斐特市建立一座先进封装厂和人工智能产品研发中心。
三星：目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E12H DRAM样品，计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM38H已开始初步量产。此外，公司耗资105亿韩元，收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备，以扩大HBM产能。公司预计2024年HBM产能将增至去年的2.9倍。
建议关注HBM产业链：赛腾股份(603283.SH)、通富微电(002156.SZ)、联瑞新材(688300.SH)、华海诚科(688535.SH)、香农芯创(300475.SZ)、精智达(688627.SH)等。
风险提示：技术升级迭代和研发失败风险；市场需求不及预期风险；行业周期影响和业绩波动风险；全球贸易摩擦风险。
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