中国氮化镓芯片制造商英诺赛科(Innoscience)据报正考虑最早今年来香港进行IPO,融资规模约3亿美元,报道指英诺赛科正与中金公司和招银国际就上市一事进行合作。
英诺赛科于2015年成立,设计、开发和制造涵盖从低压到高压(30V-650V)面向各种应用的高性能、高可靠性的氮化镓功率装置。公司拥有两座8寸矽基氮化镓生产基地,目前,英诺赛科8寸矽基氮化镓的产能达到每月1.5万片,并将逐渐扩大至每月7万片以上。
据网站介绍,其投资者包括英国晶片设计商Arm、中国电池巨头宁德时代、韩企SK集团和招银国际。
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责任编辑:张倩
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