晶合集成申请光阻图形的形成方法专利,改善曝光后因烘烤延迟导致的若干片晶圆上形成的光阻图形的CD值差异

晶合集成申请光阻图形的形成方法专利,改善曝光后因烘烤延迟导致的若干片晶圆上形成的光阻图形的CD值差异
2024年03月27日 18:05 金融界网站

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本文源自:金融界

金融界2024年3月27日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“光阻图形的形成方法“,公开号CN117761975A,申请日期为2024年2月。

专利摘要显示,本发明提供了一种光阻图形的形成方法,包括:提供若干片晶圆和两枚光罩,依次将每片晶圆载入一曝光机中,曝光机中存储有两枚光罩的设定曝光能量以及每片晶圆对应的两枚光罩的曝光顺序;将先曝光的光罩载入曝光机中,执行第一曝光进程,根据先曝光的光罩的设定曝光能量对晶圆进行曝光;将先曝光的光罩替换为后曝光的光罩,并输入修正系数,获得后曝光的光罩的修正曝光能量;执行第二曝光进程,根据后曝光的光罩的修正曝光能量对晶圆进行曝光;执行烘烤工艺,以及执行显影工艺,以获得晶圆上形成的光阻图形。本发明改善曝光后因烘烤延迟导致的若干片晶圆上形成的光阻图形的CD值差异。

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