东微半导申请半导体功率器件制造方法专利，可在n型外延层内形成浅沟槽_新浪财经

转自：金融界

本文源自:金融界

金融界2023年11月28日消息，据国家知识产权局公告，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“半导体功率器件的制造方法“，公开号CN117133643A，申请日期为2022年5月。

专利摘要显示，本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件的制造方法，包括：在n型外延层内形成浅沟槽；在所述浅沟槽的侧壁处形成绝缘侧墙；在所述n型外延层内形成栅沟槽；在所述栅沟槽内形成栅极结构；进行倾斜的p型离子注入并退火，在所述n型外延层内形成p型体区；进行倾斜的n型离子注入，在所述p型体区内形成n型源区；淀积形成绝缘介质层并刻蚀形成接触孔；形成金属电极。