存储芯片市场或将回暖,数字经济ETF(159658)盘中溢价,科博达、格科微跌超1.5%丨ETF观察

存储芯片市场或将回暖,数字经济ETF(159658)盘中溢价,科博达、格科微跌超1.5%丨ETF观察
2023年09月14日 10:11 21世纪经济报道

今日(9月14日),数字经济板块早盘小幅下跌,随后有所反弹,相关指数中,中证数字经济主题指数(931582.CSI)截至发稿下跌0.10%,成份股跌多涨少。

其中,科博达格科微跌超1.5%,中微公司华大九天同花顺跌超1%,北京君正三环集团兆易创新等股跟跌

图片来源:Wind图片来源:Wind

跟踪该指数的数字经济ETF(159658)截至发稿收复早前跌幅,溢折率0.14%,盘中溢价。该ETF昨日获资金净流入近500万元。

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消息面上,证券时报援引媒体报道,三星电子公司最近与其客户(包括小米、OPPO和谷歌)签署了DRAM和NAND芯片供应协议,价格比其现有合同高出10-20%。根据DRAMexchange,DRAM现货价平均涨跌幅首次止跌转正。分析师指出,随着库存逐渐减少,NAND行业由供给向需求端的价格传导,行业有望在2023年下半年迎来量价修复。

华泰证券指出存储是数字经济发展的基石,作为典型的周期成长行业,存储正处于新一轮成长的黎明期。经过2021年末起7个季度的下行期后,当前存储产品价格已呈现筑底态势,叠加存储原厂减产、下游库存水位持续修正,目前行业已处于周期底部,下半年需求有望逐步回暖。创新方面,AI高速发展推动HBM为代表的高性能存储器需求快速增长,测算HBM市场2024年将达64亿美金,AI有望开启存储成长新篇章。此外,中国企业级存储市场自主研发需求迫切,信创市场国产厂商大有可为。

(本文信息不构成任何投资建议,刊载内容来自持牌证券机构,不代表平台观点,请投资人独立判断和决策。)

(作者:彭卓 编辑:梁明)

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