每经记者 刘明涛 每经编辑 彭水萍
周一(6月3日),A股冲高回落,创业板指一度涨逾1%,市场逾4400股下跌。截至上午收盘,上证指数午盘跌0.51%,报3071.02点,深证成指跌0.23%报9342.59点,创业板指涨0.25%报1809.63点,科创50指数涨0.59%报748点。市场成交额5449.9亿元。
资金面上,央行公告称,为维护银行体系流动性合理充裕,6月3日以利率招标方式开展20亿元7天期逆回购操作,中标利率1.8%。Wind数据显示,今日有20亿元逆回购到期,因此当日完全对冲到期量。
消息面上,今年6月6日,我国5G迎来发牌五周年重要时间节点。工信部将联合业界举办“移动通信高质量发展论坛”,系统总结我国移动通信,特别是5G产业引领数字经济高质量发展的成果和经验,激励全行业持续巩固提升领先地位和竞争优势。论坛期间将发布主管部门支持5G发展政策并进行权威解读。同时,将举办启动仪式:携手开启5G-A新时代。
高盛在一份报告中将MSCI亚太地区(除日本)指数的12个月目标点位从580提高至615,受到盈利增长预估上调和对中国乐观看法的驱动,并称中国股市的涨势可以持续。
6月3日公布的2024年5月财新中国制造业采购经理指数(PMI)录得51.7,较4月上升0.3个百分点,为2022年7月来最高,显示制造业生产经营活动扩张加速。
板块方面,铜缆高速连接概念大涨,神宇股份触及20cm涨停,得润电子封板,胜蓝股份涨超10%,中富电路、创益通、兆龙互连、鼎通科技等跟涨。存储芯片概念股走强,太龙股份20cm涨停,万润科技、好上好涨停,佰维存储、江波龙、同有科技跟涨。教育股下跌,中公教育跌停,全通教育、凯文教育、科德教育、传智教育、国新文化等跟跌。
据CFM闪存市场报道,三星电子成功将下一代存储半导体3DDRAM堆叠到16层。3DDRAM是一种称为“垂直堆叠单元阵列晶体管(VS-CAT)”的下一代存储器,其概念是像堆叠纸张一样垂直堆叠DRAM单元。三星电子通过VS-CAT和垂直通道晶体管(VCT)等,旨在在下一代DRAM市场中拉开技术差距。
同样,据CFM闪存市场报道,美光HBM业务规模在2025会计年度将增长至数十亿美元。美光2025年HBM供应谈判基本上已经完成,已与下游客户基本敲定了2025年HBM订单的规模和价格。美光预测,在未来数年间其HBM的位元产能的复合年成长率将达到50%。
目前,市场整体需求氛围表现不佳,现货市场卖压持续扩大,终端需求亦未见好转,原厂端虽积极拉抬官价,但仅在SSD部分造成微幅波动,零星成交,无法拉抬并带动整体买气,wafer及eMMC报价方面持续下探。
这里,通过整合多家券商最新研报信息,为粉丝朋友带来4家公司简介,仅供参考。
1、西测测试
公司于2021年开始开展电装业务。电子元器件在检测筛选合格后将进入电装工序,电装是指按照预定的电路设计功能,通过一定的技术手段将电子元器件、印刷电路板、结构件、导线、连接器等组合成具有独立电路功能的产品,主要包括SMT、DIP、组装、三防涂覆、机箱组装和测试等。目前公司电装业务领域覆盖航天、航空、电子、兵器、船舶、高铁等领域,未来应用空间有望进一步扩大。(东北证券)
2、佰维存储
在IC设计领域,公司推出第一颗主控芯片,进入量产准备阶段;在先进封测领域,公司惠州封测基地聚焦存储器封测及SiP封测,未来富余产能将向存储器、IC设计公司、晶圆制造厂商提供代工服务形成新的业务增长点。此外,公司在东莞松山湖落地了晶圆级先进封测制造项目,聚焦大湾区封测需求;在存储测试设备领域,公司自主开发了一系列存储芯片测试设备。(国信证券)
3、普冉股份
公司基于领先工艺和超低功耗与高集成度自有设计的存储器优势,布局ARMCortex-M内核系列32位通用型MCU产品。2023年,公司陆续推出了ARMM0+和ARMM4内核的12大系列超过100款MCU芯片产品,覆盖55nm、40nm工艺制程,主要应用于智能家居、小家电、BMS、无人机、驱动电机、逆变器、电子烟等下游领域,后续国产替代持续导入空间较大。(中邮证券)
4、香农芯创
公司在存储器分销领域的业务发展以及在企业级存储新业务的布局,有望拓展市场增长空间。公司合作方与客户皆为领域龙头,公司二次转型进展顺利,公司成长动力充足。(东吴证券)
封面图片来源:视觉中国-VCG41N1254770262
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