赛微电子:拟10亿元投建6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目

赛微电子:拟10亿元投建6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目
2021年04月01日 20:04 E公司

原标题:赛微电子:拟10亿元投建6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目 来源:E公司

e公司讯,赛微电子(300456)4月1日晚间公告,公司于当日与青州市人民政府签署了合作协议,公司拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目,总占地面积30亩。一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5000片/月的生产能力,二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12000片/月的生产能力。

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