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后摩尔时代谁是最终答案？第三代半导体呼声渐涨
来源：科创板日报
宋子乔
第三代半导体正是材料环节的创新，被视作超越摩尔定律相关技术发展的重点之一。
文 |宋子乔
今日（6月17日）A股第三代半导体集体走强，截至收盘，聚灿光电、台基股份、三安光电、露笑科技、奥海科技、新洁能、斯达半导、北方华创、士兰微、海特高新均封涨停，华润微、扬杰科技、赛微电子等个股纷纷跟涨。
此前5月14日，刘鹤主持召开国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议，讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。
材料工艺是芯片研发的主旋律，第三代半导体正是材料环节的创新，被视作超越摩尔定律相关技术发展的重点之一。与前两代半导体相比，以GaN、GaAs为代表的第三代化合物半导体材料物理特性优势明显，下游应用广泛。
天风证券分析师潘暕报告指出，新材料是芯片制造工艺中的核心挑战，是芯片性能的提升的基石，后摩尔时代，看好第三代半导体。以碳化硅SiC为例，相较于传统硅材料具有高系统稳定度、系统及装置小型化、缩短充电时间、延长电动车续航力等，将渐取代硅基功率器件于车载端的应用。
据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》指出，2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元，预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度，到2022年市场规模将达到623.42亿元。
从GaAs、GaN和SiC市场竞争格局来看，目前化合物半导体产业链各环节以欧美、日韩和中国台湾企业为主，大陆企业在技术实力、产能规模和市场份额方面与领先企业均具有不小差距，市场话语权较弱。
以GaN为例，GaN器件产业链包括上游衬底及外延片、中游器件设计与制造和下游产品应用等环节，目前行业模式以IDM为主，但设计与制造环节已开始出现分工。其中，住友电工在GaN衬底领域一家独大，市场份额超过90%，外延片龙头包括IQE、COMAT等；GaN制造环节代表性企业包括稳懋、富士通和台积电，大陆方面以三安光电为代表。
华泰证券分析师黄乐平认为，国产替代和半导体技术发展进入后摩尔时代是未来十年半导体 行业投资的两条主线。东莞证券分析师罗炜则表示，在5G基建、5G终端射频和新能源车等多重推动，以及化合物半导体的国产替代趋势下，未来成长空间广阔，相关厂商有望迎来较好的发展机遇。
责任编辑：杨红卜
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