中信建投发布研报称，国家大基金三期于5月24日成立，注册资本3440亿元，规模大幅提升，其中建设银行、中国银行、农业银行、工商银行、交通银行、邮储银行，分别出资215、215、215、215、200、80亿元，持股比例合计约33%。据第一财经，此次大基金三期，除了延续对半导体设备和材料的支持外，更有可能将HBM等高附加值DRAM芯片列为重点投资对象。随着国家大基金的落地，未来将助力国内晶圆厂持续扩产以及先进制程的发展，材料需求有望持续提升，材料企业有望受益。
中信建投主要观点如下：
国家企业信用信息公示系统显示，国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司(下称“国家大基金三期”)于5月24日成立。国家大基金三期的法定代表人为张新，注册资本3440亿元。
国家大基金三期落地，相关半导体材料有望受益
大基金一期成立于2014年9月，注册资本987.2亿元，投资主要分布在集成电路制造、设计、封测、装备材料等。投资公司包括中芯国际、华虹半导体、长江存储、雅克科技等。
大基金二期成立于2019年10月，注册资本2041.5亿元，主要聚焦集成电路产业链布局，重点投向芯片制造及设备材料、芯片设计、封装测试等产业链环节，包括长鑫新桥、长江存储、中船特气、华虹半导体等。
大基金三期注册资本3440亿元，较此前规模大幅提升。股权结构上，大基金三期的股东包括财政部、国开金融有限责任公司、上海国盛（集团）有限公司、工商银行、农业银行、建设银行、中国银行、交通银行、北京亦庄国际投资发展有限公司、深圳市鲲鹏股权投资有限公司等19家公司，其中建设银行、中国银行、农业银行、工商银行、交通银行、邮储银行，分别出资215、215、215、215、200、80亿元，持股比例分别为6.25%、6.25%、6.25%、6.25%、5.81%、2.33%，持股比例合计约33%。投资方向上，据第一财经，此次大基金三期，除了延续对半导体设备和材料的支持外，更有可能将HBM等高附加值DRAM芯片列为重点投资对象。
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