扬杰科技申请一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法专利，提高了器件的抗浪涌电流能力|二极管_新浪财经

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金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法“，公开号CN202410623585.6，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，一种保护沟槽栅氧的SiC UMOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明在SiC UMOSFET中形成了PN结二极管和肖特基二极管两种结构，使得SiC UMOSFET在续流过程中肖特基二极管打开，作为泄流路径，降低了续流损耗，而在通过大浪涌电流时，PN结二极管打开，作为另一泄流路径，提高了器件的抗浪涌电流能力。并且本发明中沟槽区表面的P区也避免了肖特基二极管处产生较大的漏电流。

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