晶合集成申请一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法专利，提高了多晶硅缺陷测试的可靠性和稳定性_新浪财经

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金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法”，公开号CN202410591928.5，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明提供了一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法，应用于半导体技术领域。具体在本发明提供的一种多晶硅缺陷的测试结构中，其通过仿照标准单元器件以及SRAM器件中呈U字型形状的PG晶体管的有源区结构形状，设计了一款将多个缩小间距后的U字型形状有源区串联的测试结构，之后再在每个U字型形状有源区上插入多晶硅栅极，得到意想不到的效果是：通过缩小多个U字型有源区的间距的方式，加剧U字型形状有源区与多晶硅栅极的间距和应力效应，从而使得测试结构对多晶硅的漏电以及饱和电流不足缺陷更加敏感，即提高了多晶硅缺陷测试的可靠性和稳定性。

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