中芯集成-U申请SOI器件及其制备方法专利，能够改善SOI衬底散热，提高SOI器件的可靠性_新浪财经

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金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“SOI器件及其制备方法“的专利，公开号CN202410343258.5，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本发明提供了一种SOI器件及其制备方法，包括：提供SOI衬底，SOI衬底包括由下至上依次堆叠的衬底层、绝缘埋氧层和顶半导体层，其中衬底层和绝缘埋氧层之间形成有富陷阱层；刻蚀顶半导体层和绝缘埋氧层形成隔离沟槽，隔离沟槽的底部暴露出富陷阱层；形成导热层覆盖隔离沟槽的底部和侧壁，使得导热层与富陷阱层、绝缘埋氧层和顶半导体层接触；以及，形成介质层填充隔离沟槽，导热层的热导率大于介质层的热导率。本发明能够改善SOI衬底散热，提高SOI器件的可靠性。

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