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金融界2024年6月18日消息,天眼查知识产权信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“SOI器件及其制备方法“的专利,公开号CN202410343258.5,申请日期为2024年3月。
专利摘要显示,本发明提供了一种SOI器件及其制备方法,包括:提供SOI衬底,SOI衬底包括由下至上依次堆叠的衬底层、绝缘埋氧层和顶半导体层,其中衬底层和绝缘埋氧层之间形成有富陷阱层;刻蚀顶半导体层和绝缘埋氧层形成隔离沟槽,隔离沟槽的底部暴露出富陷阱层;形成导热层覆盖隔离沟槽的底部和侧壁,使得导热层与富陷阱层、绝缘埋氧层和顶半导体层接触;以及,形成介质层填充隔离沟槽,导热层的热导率大于介质层的热导率。本发明能够改善SOI衬底散热,提高SOI器件的可靠性。
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