天岳先进申请一种n型碳化硅衬底的生长装置专利，改善了晶片电阻率均匀性，提高了衬底的品质_新浪财经

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金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种n型碳化硅衬底的生长装置“，公开号CN202410530926.5，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本申请公开了一种n型碳化硅衬底的生长装置，属于半导体制备装置技术领域。所述所述生长装置包括：坩埚，包括坩埚体和坩埚盖，所述坩埚盖设置于坩埚体顶部，所述坩埚体内设置有生长腔；保温层结构，所述保温层结构设置在所述坩埚的外侧；加热线圈，所述加热线圈位于所述生长腔中心位置以上；4个或4个以上对称分布的气路，所述气路设置在所述坩埚盖顶部两侧，包括至少2个抽气路和至少2个氮气补充路。本申请提供的生长装置通过额外的氮气补充源来增加边缘区域氮掺杂量，改善了晶片电阻率均匀性，提高了衬底的品质。

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