晶合集成申请一种半导体器件及其制备方法专利，该项技术能够改善半导体器件的性能_新浪财经

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金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”，公开号CN202410599813.0，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，一种半导体器件，包括：第一掺杂类型的半导体层；位于半导体层内部的体区和漂移区，体区具有第一掺杂类型，漂移区具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；位于体区中的第二掺杂类型的源区；位于漂移区中的第一浅沟槽结构和第二掺杂类型的漏区，第一浅沟槽结构在漏区靠近源区的一侧与漏区邻接；以及位于半导体层表面的栅结构，栅结构位于源区和漏区之间；其中，漂移区包括多个在水平方向排列的分区，多个分区之间相互分离，漏区位于多个分区中的至少一个分区，第一浅沟槽结构至少位于距离体区最近的分区中；远离体区的分区的宽度较小，靠近体区的分区宽度较大。

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