中芯集成-U申请一种半导体器件及其制造方法、电子装置专利，提高了器件性能和产品良率|电子_新浪财经

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金融界2024年6月3日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法、电子装置”，公开号CN202410267940.0，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一导电类型；在所述衬底中形成自所述衬底的表面延伸至衬底中的漂移区，所述漂移区具有第二导电类型；对衬底中的所述漂移区中的预定区域进行氧离子注入；进行退火工艺，以在所述预定区域形成场氧化层。本发明的方案对漂移区中的预定区域进行氧离子注入，再进行退火工艺以在预定区域形成场氧化层，能够避免在场氧化层两端形成鸟嘴状结构，场氧化层的形貌更加可控，且场氧化层的厚度不会被限制，提高了器件性能和产品良率；同时工艺更加简单，降低了成本。

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