联动科技申请测量电路专利,能更加稳定和准确地测量MOSFET器件的反向传输电容

联动科技申请测量电路专利,能更加稳定和准确地测量MOSFET器件的反向传输电容
2024年06月03日 14:50 金融界网站

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金融界2024年6月3日消息,据国家知识产权局公告,佛山市联动科技股份有限公司申请一项名为“测量电路和MOSFET器件反向传输电容的测量方法”,公开号CN202410116792.2,申请日期为2024年1月。

专利摘要显示,本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种测量电路和MOSFET器件反向传输电容的测量方法,本发明将MOSFET器件的栅极和源极与LCR电桥连接,漏极与隔离电路连接,避免了MOSFET器件的端口接地的问题,避免了引入误差和干扰,进一步通过LCR电桥对MOSFET器件的输入电容值、输出电容值和并联阻抗值进行测量并传输给控制器。进一步,在控制器中通过建立MOSFET器件的输入电容关系式、输出电容关系式和并联阻抗关系式的三元方程组,可以计算出MOSFET器件的反向传输电容值。因此,通过实施本发明,可以更加稳定和准确地测量MOSFET器件的反向传输电容。

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