广东，重大“芯动作”

“力争到2030年，取得10项以上光芯片领域关键核心技术突破，打造10个以上‘拳头’产品，培育10家以上具有国际竞争力的一流领军企业，建设10个左右国家和省级创新平台，培育形成新的千亿级产业集群，建设成为具有全球影响力的光芯片产业创新高地。”这是广东省关于发展光芯片产业提出的最新目标。

10月21日，广东省人民政府发布《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）》（以下简称《方案》）。围绕重点任务、重点工程、保障措施三方面，制定了广东省光芯片产业未来6年发展的行动方案。

六大重点任务

在突破产业关键技术方面，《方案》明确指出，强化光芯片基础研究和原始创新能力，省重点领域研发计划支持光芯片技术攻关，加大“强芯”工程对光芯片的支持力度。其中提到，将面向集成电路产业底层算法和架构技术的研发补贴、量产前首轮流片奖补等产业政策，扩展至光芯片设计自动化软件（PDA工具）、硅光MPW流片等领域。

在加快中试转化进程方面，加快建设一批概念验证中心、研发先导线和中试线，支持中试平台积极发挥效能，鼓励中试平台孵化更多创新企业。具体包括，鼓励综合性专业化中试平台为光芯片领域首台套装备、首批次新材料等提供验证服务，符合条件的依法依规给予一定政策和资金支持等。

在推动产业集聚发展方面，强化光芯片产业系统布局，聚焦特色优势领域打造产业集群，支持各地规划建设光芯片专业园区。其中提到，支持广州、深圳、珠海、东莞等地依托半导体及集成电路产业集聚区，规划建设各具特色的光芯片专业园区。

在大力培育领军企业方面，支持引进和培育一批领军企业，支持孵化和培育一批科技型初创企业，支持龙头企业加强在粤布局。其中提到，支持有条件的光芯片企业围绕产业链重点环节进行并购整合，加快提升业务规模。

此外，建设创新平台体系方面，聚焦前沿技术领域建设一批战略性平台、聚焦产业创新领域培育一批专业化平台，聚焦专业化服务领域建设一批服务类平台。加强合作协同创新方面，《方案》提出三个“积极”，即积极争取国家级项目、积极对接港澳创新资源、积极对接国内外其他区域创新资源。

四项重点工程

关键材料装备攻关工程。《方案》指出，要加快开展光芯片关键材料研发攻关，推进光芯片关键装备研发制造，支持光芯片相关部件和工艺的研发及优化。包括大力支持硅光材料、化合物半导体、光刻胶、石英晶体等光芯片关键材料研发制造；大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代。

产业强链补链建设工程。《方案》指出，加强光芯片设计研发，加强光芯片制造布局，提升光芯片封装水平。

核心产品示范应用工程。《方案》指出，加强光芯片产品示范应用。大力支持光芯片在新一代信息通信、数据中心、智算中心、生物医药、智能网联汽车等产业的场景示范和产品应用。

前沿技术产业培育工程。《方案》则指出，围绕光芯片前沿理论和技术问题开展基础攻关和研发布局，具体包括光神经网络芯片、光量子芯片、超灵敏光传感探测芯片、光电异质异构混合集成芯片、微腔光电子芯片、幂次增长算力光芯片等技术领域。

此外，《方案》还提到强化组织领导、资金支持、试点示范、资源保障等四项保障措施。其中，资金支持方面提到，要发挥省基金及地市相关投资基金的引导作用，鼓励社会资本以股权、债券、保险等形式支持光芯片产业发展。

作者：杨子晏 刘逸鹏

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