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据业内人士称，全球最大存储芯片制造商三星电子公司在美国新设了一个研究实验室，以开发新一代3D DRAM。
该实验室隶属于总部位于美国硅谷、负责三星在美国半导体生产的Device Solutions America （DSA），将致力于开发升级的DRAM模型，使三星能够引领全球3D存储芯片市场。
去年10月，三星电子透露，其正在为10纳米以下的DRAM准备新的3D结构，允许更大的单芯片容量，可以超过100千兆位。
三星电子于2013年在业界首次成功实现了3D垂直NAND闪存的商用化。
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责任编辑：于健 SF069
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