台积电申请半导体装置及其制造方法专利，实现在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管_新浪财经

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金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法“，公开号CN117423621A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，形成在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管，在隔离绝缘层上方设置于虚设金属栅极结构之间的第一前侧接点，在第一前侧接点上方形成第一配线层，从基底的背侧移除基底的一部分，以暴露隔离绝缘层的底部，从隔离绝缘层的底部在隔离绝缘层中形成第一开口，以暴露第一前侧接点的底部，通过以导电材料填充第一开口形成第一背侧接点，以连接第一前侧接点。

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