03月01日，朗科科技（300042）股价大幅上涨，截至10点58分，朗科科技上涨5.12%，报34.06元/股，创近1月新高，成交1.86亿元，换手率3.14%，振幅7.16%。
消息解读
三星电子宣布已成功开发12层HBM3E内存，并计划于今年上半年开始量产。美光科技宣布已开始量产HBM3E，其24GB HBM3E产品将供货给英伟达。
韩国产业通商资源部公布的数据显示，韩国2月份出口同比增长4.8%，至524亿美元，连续第五个月增长。从出口品种看，芯片出口同比飙升66.7%，连续四个月实现增长，并创下自2017年10月以来的最大月度增幅。
印度电子和信息技术部部长阿什维尼·维什瑙当地时间2月29日宣布，印度政府批准价值152亿美元的半导体制造厂投资计划，其中包括塔塔集团建设该国首座大型芯片制造厂的方案。具体而言，塔塔集团将与力积电合作，在古吉拉特邦Dholera建立印度第一家芯片制造厂，投资规模9100亿卢比；塔塔集团子公司塔塔半导体组装和测试将在阿萨姆邦建立价值2700亿卢比的芯片封装厂；印度企业集团Murugappa旗下CG Power将与日本瑞萨电子和泰国Stars Microelectronics合作，在古吉拉特邦建设规模760亿卢比的芯片封装厂。维什瑙称，这些工厂将在未来100天内开建，投产后将为印度国防、汽车和电信等行业制造和封装芯片。
当地时间2月29日，A股市场芯片股大涨的行情也在美股出现了。AMD总市值超过3100亿美元，英伟达、超微电脑、英特尔、高通等个股携手走强推动美股三大股指再度收涨，整个2月美股三大股指均涨逾2%，盘中创出历史新高或阶段新高。
此外，数据统计显示，近半年内1家券商给予增持建议，6家券商给予买入建议。
资金动向
截止发稿，朗科科技获得主力净流入416万元，其中超大单流出97万元，大单流入513万元。数据显示，该股今日净流入较近5日净流入均值减少212万元。
融资融券方面，朗科科技02月28日获得融资净买入698万元，当日该股融资余额为5.07亿元，当较前一日增加1.40%，实现5连增；该股融券余额为95万元，融券余量为2.79万股，比上日减少6.37%，截至02月28日，该股共有融资融券余额5.08亿元。
北向资金方面，朗科科技02月29日获得北向资金减持30.60万股，截至02月29日，北向资金当前共持有朗科科技62.13万股，市值2116万元，持股占流通股比为0.31%。
主营业务及业绩
朗科科技公司主营业务为公司基于闪存应用及移动存储领域内持续自主创新的全球领先技术及专利，专业从事闪存应用及移动存储产品的研发、生产、销售及相关技术的专利运营业务。
最新财报显示，今年三季报，朗科科技实现营业收入10.34亿元，同比减少19.28%，净利润为-3,680.00万元，同比减少194.15%，基本每股收益为-0.18元。
（以上内容为腾讯自选股基于公开消息，由程序或算法智能生成，仅作为用户看盘参考，不作为投资建议或交易依据。股市有风险，请谨慎决策。）
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