华微电子：公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术|华微电子_新浪财经

原标题：华微电子：公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术来源：同花顺金融研究中心

同花顺金融研究中心8月5日讯，有投资者向华微电子提问，请问： 1、公司SiC和GAN研发有何进展，此类产品有何规划； 2、吉林日报报道公司8英寸半导体满产满销，订单排到明年；那么4-6英寸半导体产品是否满产满销； 3、IGBT3300V研发有何进展，是否进一步研发更高级别IGBT计划。

公司回答表示，尊敬的投资者您好 1、公司作为国内技术领先、产品种类最为齐全的功率半导体器件IDM公司，正在积极布局以SiC和gan为代表的第三代半导体器件技术。公司重点推进SiC sbd 产品和 650V GaN 器件的开发。2、关于今年上半年的产销量情况，公司将在2021年半年度报告中披露。3、公司IGBT有产能的最高电压为1350V，在研的最高电压为3300V。

牛市来了？如何快速上车，金牌投顾服务免费送>>