光大证券发布研究报告称，2024年针对第一季价格趋势，TrendForce集邦咨询维持先前预测，DRAM合约价季涨幅约13~18%;NANDFlash则是18-23%。DRAM、NAND Flash 在2024Q2 合约价季涨幅皆收敛至3~8%。Q3进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务业者(CSP)的补货动能较强，在预期DRAM 及NAND Flash 产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下，涨势应能延续，预估DRAM 合约价季涨幅约8~13%。
光大证券观点如下：
DRAM和NANDFlash在2024年有望连续4个季度涨价
据TrendForce集邦咨询研究显示，DRAM产品合约价自2021年第四季开始下跌，连跌八季，至2023年第四季起涨。NANDFlash方面，合约价自2022年第三季开始下跌，连跌四季，至2023年第三季起涨。在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下，二者价格走势均取决于供应商产能利用率情况。
2024Q1：2024年针对第一季价格趋势，TrendForce集邦咨询维持先前预测，DRAM合约价季涨幅约13~18%;NANDFlash则是18-23%。
2024Q2：虽然目前市场对2024Q2整体需求看法仍属保守，但DRAM与NANDFlash供应商已分别在2023Q4下旬，以及2024Q1调升产能利用率，加上NANDFlash买方也早在2024Q1将陆续完成库存回补。因此，DRAM、NANDFlash在2024Q2合约价季涨幅皆收敛至3~8%。
2024Q3：进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务业者(CSP)的补货动能较强，在预期DRAM及NANDFlash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。其中，DRAM方面，因DDR5及HBM渗透率提升，受惠于平均单价提高，带动DRAM涨幅扩大。
2024Q4：第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下，涨势应能延续，预估DRAM合约价季涨幅约8~13%：DRAM合约价涨幅扩大的原因是来自DDR5与HBM产品市场渗透率上升，若仅观察单一产品，例如DDR5，仍可能出现季跌，意即2024年度的DRAM合约价上涨并非所有颗粒类别全面上扬，而是产品类别逐渐转移之故。NANDFlash合约价季涨幅则预估0~5%。
投资建议：存储行业拐点已至，2024年有望连续4个季度价格上涨。建议关注：
1)模组：佰维存储(688525.SH)、江波龙(301308.SZ)、德明利(001309.SZ)等;
2、测试机：长川科技(001309.SZ)、精智达(688627.SH);
3)DDR5：澜起科技(688008.SH)、聚辰股份(688123.SH);
4)汽车存储：北京君正(300223.SZ);
5)NORFLASH：兆易创新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、恒烁股份(688416.SH)、东芯股份(688110.SH)。
风险提示：商业化进展不及预期，技术突破不及预期。
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