韦尔股份取得MOSFET集成二极管监控芯片结温结构专利,实现通过监控二极管正向电压变化,探测MOSFET内部结温

韦尔股份取得MOSFET集成二极管监控芯片结温结构专利,实现通过监控二极管正向电压变化,探测MOSFET内部结温
2024年06月17日 22:10 金融界网站

转自:金融界

本文源自:金融界

金融界2024年6月14日消息,天眼查知识产权信息显示,上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构“的专利,授权公告号CN221150008U,申请日期为2023年10月。

专利摘要显示,本申请实施例提供了一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构,包括:MOSFET和二极管;所述二极管与所述MOSFET并联设置,所述二极管通过第一金属层引出阳极,所述MOSFET通过第二金属层引出源极;通过监控所述二极管正向电压变化,探测MOSFET内部结温。

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