捷捷微电取得可控硅芯片专利，节省了芯片面积，降低了制造成本，提高了生产效率|芯片_新浪财经

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金融界2024年6月17日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏捷捷微电子股份有限公司取得一项名为“一种横向结构的可控硅芯片及其制造方法“，授权公告号CN117954483B，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种横向结构的可控硅芯片，包括N‑型硅衬底，所述N－型硅衬底的上端设置有P型阳极区、P型阴极区、N+型阴极区、N+型截止环、阳极电极、阴极电极、门极电极和表面钝化层，所述P型阳极区和P型阴极区对称设置在N‑型硅衬底上端的两侧，所述N+型阴极区设置在P型阴极区上端面的内侧，所述N+型截止环设置在N‑型硅衬底上端围绕在P型阳极区、P型阴极区外侧，所述阳极电极设置在P型阳极区上端面，所述阴极电极设置在N+型阴极区上端面。本发明可控硅芯片将有源区设置在芯片正面，取消了P+型穿通环结构的设计，且无需分压环就能满足VDRM＞900 V的要求，节省了芯片面积，降低了制造成本，提高了生产效率。

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