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金融界2024年6月13日消息,天眼查知识产权信息显示,吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“一种场效应晶体管及其制备方法“,公开号CN202410367745.5,申请日期为2024年03月。
专利摘要显示,本申请实施例提供一种场效应晶体管及其制备方法,涉及半导体器件制造领域。通过上述方法制备的场效应晶体管包括衬底、外延层、场氧化层、场多晶、栅极多晶、栅氧化层、介质层、源极金属层及漏极金属层。栅极多晶填充在沟槽内且覆盖场多晶,栅极多晶周围的外延层形成源区,其中,栅极多晶距离沟槽开口的距离小于0.2um,如此设计可以是栅极多晶的形貌良好,不仅可以降低栅极电阻和输入电容,优化器件的动态性能,还可以减小栅极与源极之间的漏电流,确保器件性能及可靠性。
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