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金融界2024年6月13日消息,天眼查知识产权信息显示,晶科能源股份有限公司申请一项名为“光伏电池及其制备方法“,公开号CN202410115073.9,申请日期为2024年1月。
专利摘要显示,本发明公开了光伏电池及其制备方法,包括以下步骤:提供硼掺杂后的硅基底;对硼掺杂后的硅基底进行清洗处理,得到具有自然氧化层的硅基底;其中,清洗处理包括慢提拉处理,在慢提拉处理中,水溢流量和自然氧化层的片间均匀性的关系式如下:Y=‑0.0017X3+0.0251X2‑0.1257X+0.259;式中,X为水溢流量,Y为自然氧化层的片间均匀性。本发明可以调控自然氧化层的均匀性,使得自然氧化层的片内均匀性和片间均匀性均有很大提升,保证隧穿氧化层的隧穿效果;可以降低硅片表面金属离子残留,减少表面复合,提高光伏电池的光电转换效率效率。
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