中芯集成-U申请熔丝结构及其制备方法专利，避免对其他器件造成不利影响_新浪财经

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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“熔丝结构及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法”，公开号CN202410271062.X，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本发明提供了一种熔丝结构及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法。在该熔丝结构中，利用环状隔离结构形成一保护环，并至少使激光熔丝的熔断点位于保护环的区域范围内，从而在进行激光修整以使激光熔丝的熔断点发生汽化膨胀，由此产生的应力向下传导至衬底内时可被较好的限制在该保护环内。以及，当衬底因为应力作用所产生裂痕时，其裂痕也将在环状隔离结构的阻断下而不会扩展至保护环之外，避免对其他器件造成不利影响。

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