晶合集成申请电荷检测装置及其制备方法、电荷检测方法专利，能够贴切地检测等离子体工艺中半导体器件所受的损伤_新浪财经

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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“电荷检测装置及其制备方法、电荷检测方法“，公开号CN202410585567.3，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种电荷检测装置及其制备方法、电荷检测方法，电荷检测装置包括形成于半导体基底上的天线结构、二极管和MOSFET，二极管包括第一二极管，第一二极管设置在天线结构与MOSFET的栅极之间，且第一二极管的正极连接天线结构，负极连接MOSFET的栅极，以检测半导体元件制造工艺中源自等离子体的正电荷损伤程度；或者，第一二极管的负极连接天线结构，正极连接MOSFET的栅极，以检测半导体元件制造工艺中源自等离子体的负电荷损伤程度，在电荷检测时可以区分对等离子体工艺中产生的电荷极性，电荷检测装置对等离子体工艺中产生的无论电荷是正电荷还是负电荷，均能够贴切地检测等离子体工艺中半导体器件所受的损伤。

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