【新品】英飞凌推出512 Mbit抗辐射加固设计NOR闪存

英飞凌近日推出业界首款用于太空和极端环境应用的512 Mbit抗辐射加固设计QSPI NOR闪存。这款半导体器件采用快速四串行外设接口（133MHz），具有极高的密度、辐射和单次事件效应（SEE）性能，是一款完全通过QML认证的非易失性存储器，可与太空级FPGA和微处理器配合使用。

512 Mbit抗辐射加固设计QSPI NOR闪存

这款新器件由美国空军研究实验室太空飞行器局 (AFRL) 资助，并与Microelectronics Research Development Corporation（Micro-RDC）共同开发而成。它基于英飞凌经过实际验证的SONOS（硅衬底-隧穿氧化层-电荷存储层氮化硅-阻挡氧化层-多晶硅栅极）电荷栅阱技术，运行速度较低密度替代品提高多达30%。

“下一代太空级系统的设计者对高可靠性、高密度存储器的需求不断增长。我们与英飞凌、Micro-RDC等行业领导者合作，共同开发出一种集高密度、高数据传输速率与优于替代品的辐射性能于一身的技术解决方案。”

Richard Marquez

AFRL太空电子技术项目经理

“英飞凌的抗辐射加固设计NOR闪存很好地补充了Micro-RDC的极端应用环境解决方案系列。随着512 Mbit密度器件的推出，设计者能够设计出性能卓越的系统，以满足比以往更广泛任务类型的严格要求。”

Joseph Cuchiaro

Micro-RDC总裁

“此次英飞凌512 Mbit NOR闪存家族扩展到抗辐射加固存储器产品组合，进一步证明了我们致力于提供高度可靠的高性能存储器来满足下一代太空需求。与AFRL和Micro-RDC的合作推动了行业领先技术的发展，通过采用提高关键卫星功能性能的技术，来应对空间应用中遇到的极端环境。”

Helmut Puchner

英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁

英飞凌的SONOS技术独特地结合了密度和速度，以及先进的辐射性能，具有高达10000P/E的出色耐用性和长达10年的数据保存期。该产品的133MHz QSPI接口为太空级FPGA和处理器提供了高数据传输速率，并采用占板面积1”x1”的陶瓷QFP（QML-V），以及占板面积更小的0.5”x0.8”塑料TQFP（QML-P）两种封装。此外，该器件还为太空FPGA引导代码解决方案提供了最高密度的TID/SEE性能组合。其QML-V/P封装获得DLAM认证，能够满足最严格的行业资格认证要求。

该器件的典型用例包括太空级FPGA的配置映像存储和太空级多核处理器的独立启动代码存储。

（转自：CSHIA）

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