海信家电申请半导体装置和半导体装置的制造方法专利，降低半导体装置的开关损耗，提升半导体装置的性能_新浪财经

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金融界2024年3月5日消息，据国家知识产权局公告，海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置和半导体装置的制造方法“，公开号CN117650162A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法，半导体装置包括：漂移层；场截止层，场截止层设置于漂移层的下表面；载流子寿命控制层，载流子寿命控制层设置于场截止层和漂移层之间。由此，通过在半导体装置的场截止层和漂移层之间设置一层载流子寿命控制层，该区域形成复合中心，加速载流子复合消失，在半导体装置关断过程中的电流拖尾阶段，寿命控制层可以增加空穴的复合速度，有效降低电流和空穴复合消失的时间，从而可以降低半导体装置的开关损耗，提升半导体装置的性能。