赛微电子:聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平

赛微电子:聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平
2024年03月18日 16:11 每日经济新闻

有投资者在投资者互动平台提问:董秘您好,公司氮化镓(GaN)外延材料及器件的研发生产能力和在研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆方面在业界处于什么水平?谢谢

赛微电子(300456.SZ)3月17日在投资者互动平台表示,聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平;聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司,不再纳入公司合并报表范围;但这并不意味着公司不再关注GaN领域,公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓(GaN)业务的发展。

(文章来源:每日经济新闻)

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