和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可。根据韩联社数据，三星电子西安厂承担了其约40% NAND芯片的产能，苏州厂负责半导体封测；SK海力士无锡厂生产了其约40%的DRAM芯片，大连厂生产了其约20%的NAND芯片。23Q2三星在中国的营收为6.34万亿韩元，营收占比为10.56%，SK海力士在中国的营收为2.36万亿韩元，营收占比为32.34%。我们认为此举有助于稳定全球半导体供应链。
存储市场回稳起涨态势明确，中国台湾厂商9月营收延续增长趋势
22Q4起存储原厂相继启动减产，减产效果逐渐浮现，加之市场备货需求升温，存储市场回暖趋势确立，中国台湾存储厂商9月营收延续环比增长趋势。
南亚科：9月营收27.24亿新台币，环比增长5.80%，创下近10个月单月新高；Q3营收77.36亿新台币，环比增长10.09%。公司表示，23Q3 DRAM产品整体价格跌幅收窄、销量微增，产业需求已于23Q2筑底，23H2有望逐步改善，同时供应商减产措施有望带动DRAM价格回升。
华邦电：Q3以来公司营收逐月增长，9月营收67.66亿新台币，环比增长5.32%；Q3营收195.06亿新台币，环比增长3.69%。随着客户需求回温，公司台中厂减产幅度也由22Q4的30-40%降至23Q3的低于20%，带动23H2营收持续增长。
群联电子：9月营收50.04亿新台币，同比增长4.05%，环比增长25.38%，创近14个月单月新高，同时也是2022年7月以来首次实现同比增长；Q3营收123.89亿新台币，环比增长23.80%。公司表示9月SSD模组出货量持续回温，显示系统客户因库存回归或低于正常水位，加之NAND市场价格回稳起涨态势明确，已开始陆续回补库存。
美光业绩环比持续改善，预计2024年终端市场恢复增长
FQ4-23（2023.6.2~2023.8.31）财务数据：总营收40亿美元，同比减少40%，环比增长7%；毛利率-9%，环比增长7pct，两项指标均高于指引中值。季末库存84亿美元，环比增长2亿美元，库存周转天数170天，环比增长2天，公司预计到2024年3月（即进入公司FY24H2）库存周转天数将仅高于目标天数几周。分产品看，DRAM营收27.55亿美元，环比增长3.11%，位元出货量环比增长约15%，ASP环比减少高个位数百分比；NAND营收12.05亿美元，环比增长18.95%，位元出货量环比增长超40%，ASP （2023.9.1~2023.11.30）业绩指引：预计实现营收42-46亿美元，环比+4.74%~+14.71%；毛利率为-6%~-2%，环比增长3~7pcts；业绩环比改善趋势有望延续。
终端市场：1）数据中心：公司预计服务器出货量经历2023年的下滑后有望于2024年恢复增长。公司数据中心业务营收已触底，有望在下一财季实现增长，并于FY24和FY25持续增长。2）PC：公司预计2024年PC出货量增长低至中个位数百分比。公司表示本季度LPDRAM在超薄型笔记本中的应用需求加速，且SSDQLC位元出货量已连续两个季度创纪录。3）手机：公司预计2024年智能手机出货量增长约5%。由于价格弹性以及高端机采用更大存储容量的推动下，手机存储用量持续增长，目前销售的智能手机中约有三分之一至少配备8GBDRAM+256GBNAND；AI应用要求手机存储具备更高容量、更低功耗和更高性能。4）汽车：ADAS和舱内应用推动单车存储用量持续增长，公司FY23汽车业务营收创新高。5）工业：FQ4-23工业市场出现复苏迹象，预计销量复苏将持续至2024年。
资本开支：FY24资本开支将略高于FY23的70亿美元，其中WFE(晶圆制造设备)支出同比继续下降，建设资本支出上升以满足在爱达荷州和纽约州的建厂需求，封测支出预计翻倍以支持HBM3E的生产。
产能规划：公司表示FY24更多地将产能分配于先进节点，且由于先进节点工艺步骤增多，产能调整将导致DRAM和NAND整体晶圆产能显著下降，并低于2022年水平。
展望：公司预计2023年DRAM位元需求增长约5%，NAND位元需求增长预期上调至高十位数百分比；同时DRAM和NAND位元供应同比均有所减少。由于终端需求恢复、客户库存水位回归正常、单机用量提升和AI的持续推动，公司预计2024年DRAM和NAND位元需求均有望强劲增长，且需求增速将高于供给增速。
涨价行情蔓延至DRAM，供应端减产驱动本轮行情，静候需求端回暖接力
CFM指出，由于原厂减产和控制供应的影响，原厂库存压力得到释放，加上制程切换令旧制程产品产出减少，部分design-in产品的指定资源出现供不应求的状态。此外，涨价行情正从NAND蔓延至DRAM，本周DDR4涨幅显著，渠道内存条跟随DDR颗粒涨价，资源紧缺的行业类产品价格仍在上扬。CFM表示，本轮涨价行情基于供应端减产驱动，还需等待终端市场需求回暖，已经进入复苏周期的存储市场预计将在持续博弈中走出行情。
具体看本周存储价格（截至10月10日11：00），根据CFM数据，1）Flash Wafer方面，1Tb QLC/1Tb TLC/512Gb TLC/256Gb TLCFlash Wafer本周价格维持不变。2）DDR方面，DDR4涨幅较为显著，其中16Gb 3200/8Gb eTT价格分别上涨4.08%/5.50%。3）渠道市场，SSD本周价格维持不变；内存条价格跟随资源端价格快速上涨。4）行业市场，由于原厂资源供应继续收紧，本季部分NAND资源仍将供不应求，带动行业SSD价格出现较为明显的涨幅；本周内存条价格与上周保持一致。5）服务器DDR4内存条本月价格上扬明显，其中32GB/64GB 3200价格分别上涨4.35%/5.56%。6）嵌入式方面，节后市场暂处于观望态度，eMMC、eMCP、LPDDR、UFS、uMCP本周价格均保持不变。
投资建议：建议关注存储产业链相关标的：东芯股份，兆易创新，北京君正，江波龙，普冉股份等。
风险提示：下游需求复苏低于预期，终端去库存效果低于预期，相关厂商研发进程不及预期，系统性风险等。
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