长城证券发布研报称，随着消费电子产品等下游需求逐渐恢复，存储行业库存消化速度加快；同时，随着下游内存模组厂商库存水位的逐步改善，以及DDR5内存模组的渗透率持续提升，存储价格将有望进一步增长。服务器市场中，AI算力升级带动服务器的CPU迭代并提升GPU需求，带动AI服务器存储容量和价值量较传统服务器数倍增长。在训练型AI服务器中GPU承担大部分算力，算力要求撬动了HBM等新型存储器市场；随着AI服务器需求持续增加，高容量的存储产品需求有望得到进一步增长。看好东芯股份(688110.SH)、聚辰股份(688123.SH)、恒烁股份(688416.SH)、普冉股份(688766.SH)。
事件：中国台湾地区存储行业公布2024年2月份营收数据，其中南亚科营收为30.51亿新台币；华邦电营收为62.07亿新台币；旺宏营收为17.33亿新台币。
消费淡季导致台企单月营收环比下降，DRAM价格有望逐季上涨。2024年2月份，南亚科营收同比增长50.56%，环比下降0.32%；华邦电营收同比增长8.03%，环比下降3.05%；旺宏营收同比下降16.22%，环比下降9.46%。南亚科表示，DRAM从2023年第4季感受到市场微幅复苏，持续受AI应用带动HBM需求，加上转换至DDR5趋势带动，看好2024年DRAM价格有机会持续逐季上涨。旺宏表示，今年第一季产能利用率维持不变，NORFlash在穿戴与工控需求相对持稳，但仍有库存问题，高容量产品看2024年有机会有复苏的迹象。
需求端：产品库存仍然偏高，AI需求拉动产品容量增长
据CFM闪存市场表示，目前服务器内存价格继续上调，LPDDR价格普涨，但渠道DDR资源溢出严重，渠道DRAM库存水位偏高仍需时间消化。部分SSD需求端有回补库存的空间。据TrendForce集邦咨询表示，2024年DRAM及NANDFlash在各类AI延伸应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高，ServerDRAM单机平均容量预估年增17.3%；Enterprise SSD则预估年增13.2%。
供给端：原厂谨慎恢复产能，加码扩产HBM产品
SK海力士表示，无锡工厂通过1a纳米转换实现DDR5和LPDDR5等产品的量产，扩大工厂的产能利用率；铠侠日前也宣布，将重新审视自2022年以来一直实施的NANDFlash的减产计划，酌情增加产量，据称预计到今年3月，该工厂的利用率将恢复到90%左右，具体取决于市场需求。SK海力士在财报中表示，计划在2024年增加资本支出，并将生产重心放在HBM等高端存储产品上。美光科技在近期表示将正式量产业界领先的HBM3E解决方案，美光的8层堆叠24GBHBM3E将用于英伟达H200 Tensor Core GPU，该GPU将于2024年第二季度开始发货。
存储价格涨势延续，存储市场持续复苏
据CFM闪存市场数据显示，今年Flash价格仍在小幅上涨，512Gb TLC Flash Wafer价格年初至今涨幅为13%，DRAM也恢复到去年初的价格水平，DDR 416Gb 3200年初至今涨幅为10%。在原厂价格全面上涨之下，韩国2月半导体出口额同比大增66.7%至99亿美元，创下近76个月以来的最高值，环比1月增长5.8%，连续四个月增长。其中，存储芯片出口额为60.1亿美元，同比增长108.1%，环比增长14%。另据存储相关的数据显示，2月韩国SSD出口额同比增长了18.4%，这主要也受益于存储价格的上涨。整体来看，存储行情仍处于持续复苏的势头中，成品端与原厂资源供应越紧密，价格涨势越明确。
风险提示：消费电子需求复苏不及预期；市场竞争加剧风险；行业周期波动影响;技术革新风险。
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