国信证券发布研究报告称，存储芯片偏标准化，资金投入随工艺节点升级而陡增，使得行业进入壁垒高企，因此行业周期性强且CR3超90%。目前存储价格持续下降，需求疲软导致周期底部拉长至3Q23后。原厂陆续减产、削减资本开支，预计2H23价格降幅有望收窄，行业触底后将以低增速回暖。未来数据量增加，单位服务器NAND用量将增加3倍、DRAM增加2倍;21-27年汽车智能化的存储需求增长复合增速为20%。
▍国信证券主要观点如下：
半导体存储将随数据量的增加向高密度、大容量方向发展。
半导体存储通过半导体介质贮存电荷进行信息存储。根据WSTS数据，22年全球集成电路规模为4744亿美元，其中存储芯片规模为1298亿美元(占23%)，与逻辑芯片构成集成电路的两大支柱。未来NAND从平面到4D发展;DRAM制程不断缩小，DDR5加速渗透;HBM等先进封装将在AI服务器等高性能领域加速渗透。
存储产业：周期与成长并存。
存储芯片偏标准化，资金投入随工艺节点升级而陡增，使得行业进入壁垒高企，因此行业周期性强且CR3超90%。目前存储价格持续下降，需求疲软导致周期底部拉长至3Q23后。原厂陆续减产、削减资本开支，预计2H23价格降幅有望收窄，行业触底后将以低增速回暖。未来数据量增加，单位服务器NAND用量将增加3倍、DRAM增加2倍;21-27年汽车智能化的存储需求增长复合增速为20%。
上游存储芯片：国产化进程加速。
DRAM市场CR3超95%，主要应用为移动设备(36%)和服务器(19%);NANDFlash市场CR6占98%，主要产品为固态硬盘(SSD)。目前中国存储需求占全球30%，自给率低于10%，长存、长鑫等国产厂商与设备商共同推动国产化进程加速。此外，利基存储市场合计超164亿美元，海外大厂持续退出，国产厂商崭露头角迎成长新机。
下游存储模组：企业级与行业级市场为主要增长点。
SSD与嵌入式存储为NANDFlash模组的主要形式，根据Yole数据，预计22-28年SSD市场总规模将从290亿美金增至670亿美金，CAGR为15%;其中企业级与行业级SSD为主增长点。DRAM模组(DIMM)主要增长来源为服务器，根据Yole数据，22-28年RDIMM出货量年复合增速达15%，LRDIMM和其他服务器内存模组增速为21%。
模组侧配套芯片：SSD与DDR5渗透驱动行业加速成长。
NANDFlash模组主控芯片是存储器的大脑，全球SSD主控芯片中门槛较高的企业级SSD占12.4%，工业级占3.7%，为国产厂商主要发力方向。随DDR5渗透，DRAM模组在内存接口芯片基础上加入串行检测集线器、温度传感器以及电源管理芯片等配套芯片，其市场将由21年7.1亿美元增至27年约40亿美元，复合增速约为28%。
产业链相关公司：国产化为存储产业主旋律，企业级与行业级应用为主要发力方向。
相关公司包括利基存储的北京君正(300223.SZ)、兆易创新(603986.SH)、东芯股份(688110.SH)等，封测与设备环节的通富微电(002156.SZ)、中微公司(688012.SH)，模组环节的江波龙(301308.SZ)，模组套片或主控芯片的澜起科技(688008.SH)等。
风险提示：
1、需求不及预期;2、市场竞争恶化;3、原材料采购受限。
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