晶科能源申请硅片磨洗装置及硅片磨洗方法专利,使得可清洗的硅片厚度兼容至100um以下,也不会增加碎片率

晶科能源申请硅片磨洗装置及硅片磨洗方法专利,使得可清洗的硅片厚度兼容至100um以下,也不会增加碎片率
2024年06月18日 13:05 金融界网站

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金融界2024年6月18日消息,天眼查知识产权信息显示,晶科能源股份有限公司申请一项名为“硅片磨洗装置及硅片磨洗方法“,公开号CN202410532879.8,申请日期为2024年4月。

专利摘要显示,本发明公开了一种太阳能硅片磨洗装置及硅片磨洗方法,包括喷砂机构、超声机构、酸浸喷淋机构、喷淋漂洗机构和烘干机构;通过传输机构将硅片在各机构间水平传输,可适用于不同尺寸的硅片;喷砂机构中通过传输机构传输硅片,第一喷管组的第一喷嘴和第二喷嘴向硅片第一表面与第二表面喷射混合砂浆对硅片进行打磨,同时传输机构与硅片接触位置由于浸泡在混合砂浆内,也可利用摩擦作用对硅片打磨,喷砂打磨后的硅片继续由传输机构进行传输;喷砂机构对硅片表面进行平坦化洗磨,在清除硅片表面污染物的同时可以对表面进行合适深度的打磨,使得可清洗的硅片厚度兼容至100um以下,也不会增加碎片率。

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