扬杰科技申请提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法专利，器件功率密度是传统半桥器件的2倍_新浪财经

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金融界2024年6月14日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法“，公开号CN202410623600.7，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。传统半桥器件需要将两个二极管芯片反向并联封装，封装工艺流程复杂，封装本体大，造成器件功率密度的降低和成本的增加，本案中半桥整流芯片将两个反向并联的二极管集成在一个芯片上，第一阳极到第一阴极区域的二极管垂直导电，第二阳极到第二阴极区域的二极管水平导电，有效利用了芯片的面积，使用本案中半桥整流芯片只需要封装一个芯片，封装工艺步骤和成本降低，使用本案中半桥整流芯片可以减少一半的芯片使用量，器件功率密度是传统半桥器件的2倍。

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