华映科技申请一种改善寄生电容影响的氧化物阵列结构及其制备方法专利，改善现有结构中寄生电容较大的问题_新浪财经

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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，华映科技（集团）股份有限公司申请一项名为“一种改善寄生电容影响的氧化物阵列结构及其制备方法“，公开号CN202410114336.4，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善寄生电容影响的氧化物阵列结构及其制备方法，包括玻璃基板、底栅、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、顶栅、第一中间绝缘层、第三金属层、第二中间绝缘层、有机绝缘层、公共电极、第三中间绝缘层、像素电极;半导体层的第一半导体单元的两端分别设有导体区，第二半导体单元与底栅相对应；顶栅位于第一半导体单元上方;第三金属层的第一源漏极与对应导体区相连，第二源漏极与第二半导体单元两端相连；有机绝缘层设在第二中间绝缘层上，公共电极位于有机绝缘层上。本发明可公共电极的下方设置有机绝缘层，可使公共电极大幅远离下层金属，进一步改善现有结构中寄生电容较大的问题，且还具有成本低结构简单、薄膜利用率高的优势。

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